Basic Electronic Circuit

실험 과정 R-L 회로에서의 주파수 응답 R-L 회로에서 1kHz -> 10kHz 까지 1kHz 의 간격으로 주파수를 조정하며 R 양단에 흐르는 전압 VR 측정한다. 1) 하기 회로(R-L 직렬회로)를 만능기판에 꾸민다. 2) DMM 으로 저항값을 측정한다. ▶ 회로를 구성하기 전 저항 값을 DMM 으로 측정하였다. ▶ 저항값은 약 3.3kohm 인 것을 알 수 있다. 3) Function Generator 로 R-L 직렬 회로에 F=1kHz, Vp-p=10V 를 공급한다. 4) 1kHz - 10kHz 까지 주파수를 올려가며 R 양단에 걸리는 전압을 오실로스코프를 사용하여 측정한다. ※ 이때 전압은 10V 를 유지하며, 사진 파일은 1kHz, 2kHz, 5kHz, 10kHz 만 첨부한다. 5) 주파수에 ..

리액턴스 회로의 주파수 응답 TEST 실험 이론 1. RL 회로에서의 임피던스, 주파수, 전류 ▶ RL 회로에서의 임피던스 Z 는 유도성 리액턴스 XL 값에 의해 변화한다. Z를 구하는 공식은 아래와 같다. 공식을 보았을때 Z 는 XL 값과 저항값에 비례하게 변화한다는 것을 알 수 있다. ▶ 유도성 리액턴스 XL = 2 π f L 이다. 이를 보면 XL 은 주파수에 따라 값이 증감한다. 그러므로 Z 의 증감도 주파수의 증감에 따른다는 것을 알 수 있다.( F↑→ Z↑, F↓→ Z↓) ▶ 전류 I = V/Z 이다. I 는 Z에 반비례하며 Z는 RL 회로에서 주파수에 비례하므로 전류 I 는 주파수 F 에 역비례한다는 것을 알 수 있다. ∴ F ∝ Z , I ∝ 1/F 2. RC 회로에서의 임피던스, 주파수,..

정전압 회로란 부하에 흐르는 전류가 변화하더라도 부하 양단 전압을 일정하게 유지해주는 회로이다. 정전압을 구성하는 방법에는 제너 다이오드 또는 트렌지스터를 사용하거나, 정전압 Regulator I.C 를 사용하는 방법 등이 있다. 각 방식에 대해 간단히 알아본다. 1. Zener 다이오드를 활용한 정전압회로 (리니어 방식) Zener 다이오드의 항복전압 특성을 이용해 회로를 구성한다. 회로는 과 같이 구성된다. 위 회로에서의 Rs 저항은 Zener 다이오드가 동작하기 위한 전류와 필요한 부하 전류를 공급하는 역할을 담당한다. Zener 다이오드의 Zener전압 Vz 값이 출력 전압이 되는 점을 생각해 Rs 저항 값을 계산 한 후 사용한다. 2. 트렌지스터 + 제너다이오드를 활용한 정전압 회로 (Dropp..

반도체 재료 진성반도체 - 단결성 구조를 가진 순수한 반도체 - 규소[실리콘](Si) 및 저마늄[게르마늄](Ge) 의 원자핵의 가장 바깥궤도에 4개의 전자가 존재하는 Ⅳ원소 - 순수한 반도체에 에너지를 가하면 충만대 → 전도대 이동 ↳이동한 전자는 이전에 소속되있던 충만대에 빈자리를 남김 ↳이 빈자리는 원래 (-)전하가 있어야 할 자리인데 마치 (+)전하가 출현한 것과 같으며 정공이라고 한다. *정공은 이동이 비교적 자유로워 전도대의 전자와 함께 전하를 나르는 반송자의 역할을 담당 불순물 반도체 - 순수한 반도체에 의도적으로 특정한 불순물을 첨가하여 전자 또는 정공이 크게 증가하도록 한 것 - 다수 반송자가 전자이면 n형 반도체, 정공이면 p형 반도체이다. ☞ n형 반도체 : 안티몬, 비소, 인 등의 Ⅴ..

전자와 에너지 전자의 상수 ☞원자는 물질의 성질을 결정하는 최소단위 ↳원자 안에서 음(-)전하를 지닌 전자는 양(+) 전하를 지닌 양성자에게 전기적으로 속박되어 있다. ☞분자는 원자들이 모여서 구성 ↳분자들이 모여서 결정체나 물체구성 ☞전자는 입자이면서 동시에 파동인 양면적 성질을 가진 것으로 알려짐 ↳일정한 질량을 가진 입자의 성질과 함께 부피가 제한되지 않은 파동의 성질을 갖는 일종의 ‘에너지 뭉치’ 형태로 나타남 ☛ 전하량 : q = -1.6 x 10⁻¹⁹ C → (-)의 극성 ☛ 질량 : m₀ = 9.1 x 10⁻³¹ kg → (+)의 극성 전자에너지의 상태 속박전자 - 원자핵에 의한 전기적 구심력과 전자궤도의 공전에 의한 원심력이 평형을 이루며 원자 안에 속박된 상태 전도전자 - 원자의 안쪽궤도..

B급 Push-pull 증폭기 ▷ 전력 변환 효율을 높임과 동시에 큰 진폭의 신호를 처리하기 위해 사용. ▷ NPN 형 BJT 와 PNP 형 BJT 의 상보형 구조임. ★ NPN BJT 동작 : Emitter Follower ( Collector 공통) (순방향 – Push 동작) ▷ Av 는 거의 1이니까 진폭은 같고, 전압레벨은 Vbe 정도 차이가 난다. ★ PNP BJT 동작 : NPN 과 동일하지만 역방향 동작임 (Pull 동작) P.S : 실제 BJT 는 Vbe 0.7V 를 가짐으로 출력파형에 교차왜곡이 발생한다. ★ B급 Push-Pull 증폭기의 전력 효율 ★ B급 Push-Pull 증폭기의 최대 소비전력 Pd 와 평균전력 PL ★ B급 증폭기를 구성하는 트렌지스터의 정격은 부하에 공급되는 ..

MOSFET의 소신호 등가모델과 증폭기 ◆ MOSFET 증폭기는 BJT 증폭기와 비교했을 때, CE 증폭기 – CS 증폭기 / CC 증폭기 – CD 증폭기 / CB 증폭기 – CD 증폭기와 특성이 비슷하다고 볼 수 있다. 하이브리드 π 소신호 등가 모델의 특성 ▷ 저주파 등가모델 ☞ 주파수 특성이 포함되지 않고 MOSFET 내부 기생 정전 용량을 고려하지 않는다 ▷ 고주파 등가 모델 ☞ 주파수 특성이 포함되며, MOSFET 내부 기생 정전 용량을 고려한다. 전달 컨덕턴스 gm ▷ 증폭률을 결정하는 매우 중요한 값이다. ▷ 포화영역에서 동작하는 MOSFET 는 G-S 전압에 의해 제어되는 전압제어 전류원으로 동작한다. ▷ 수식은 하기와 같다. 소신호 드레인 저항 rd ▷ 채널 길이 변조 효과를 가진다. ▷..

증폭기 간단 정리 ★ BJT 차동 증폭기 ▷ 3단 증폭기의 예 : 입력단(차동증폭기) -> 이득단 -> 출력단 ▷ 차동 증폭기의 종류 : 소신호, 대신호, A급, B급, AB급, C급 ★ 소신호 증폭기 ▷ 동작점을 중심으로 진폭이 작게 변하는 신호를 증폭 ▷ 트렌지스터의 선형동작 영역 중앙 근처에 동작점을 설정 ★ 대신호 증폭기 ▷ 트렌지스터의 비선형 특성에 의해 증폭기 출력이 왜곡될 수 있으므로, 큰 동적범위에서 선형성이 유지될 수 있도록 소신호와는 다른 바이어스 방법이 필요. ★ A급 바이어스 증폭기 ▷ 입력 전류의 전체 주기가 왜곡없이 증폭되어 Ic로 나오므로 선형성이 잘 유지됨. ▷ 바이어스 전류 Icq가 항상 흐르므로 전력 효율이 낮음. ★ B 급 바이어스 증폭기 ▷ PUSH-PULL 증폭기 라..

Attenuator(감쇠기) - RF 에서 전력을 감쇠시키기 위해 사용되는 소자/회로로 저항과 같은 수동 소자를 이용하여 구성 - 용도 : 일반적으로 전력 레벨을 원하는 레벨로 낮춰 야 할 경우에 사용되거나, 발진을 잡거나, 반사 손실을 줄이는 용도 등으로 많이 사용한다. - 레벨 조정, 측정, 매칭 등 다양한 용도로 사용되며, 파형을 왜곡시키지 않고 신호의 세기를 줄이는 소자이다. - 3개의 저항 소자를 사용하는 T형, π 형의 감쇠기 회로 구조등으로 이루어진다. - 감쇠기는3dB회로가 일반적으로 사용된다. - 3dB감쇠기의 회로와 수식의 예는 아래와 같다. Coupler(커플러) - 용도 : 전력 추출, 전력 분배 등 사용하고자 하는 목적과 주파수 등에 따라 여러가지 형태의 Coupler를 사용할 수..

UART / USRT / RS-232 통신 이란? 내용 출처 : https://ko.wikipedia.org/wiki/UART UART(범용 비동기화 송수신기: Universal asynchronous receiver/transmitter)는 병렬 데이터의 형태를 직렬 방식으로 전환하여 데이터를 전송하는 컴퓨터 하드웨어의 일종이다. (컴퓨터에 부착된 직렬 장치들로 향하는 인터페이스를 제어하는 프로그램이 들어 있는 장치) UART는 일반적으로 EIA RS-232, RS-422, RS-485와 같은 통신 표준과 함께 사용한다. (UART 통신은 시리얼 기반의 통신 방식으로 일반적으로 RS232 프로토콜을 통해 원격지와 통신을 지원하는 방식) UART는 컴퓨터에게 RS-232C DTE 인터페이스를 제공함으로써..