Basic Electronic Circuit

실험 과정 R-L 회로에서의 주파수 응답 R-L 회로에서 1kHz -> 10kHz 까지 1kHz 의 간격으로 주파수를 조정하며 R 양단에 흐르는 전압 VR 측정한다. 1) 하기 회로(R-L 직렬회로)를 만능기판에 꾸민다. 2) DMM 으로 저항값을 측정한다. ▶ 회로를 구성하기 전 저항 값을 DMM 으로 측정하였다. ▶ 저항값은 약 3.3kohm 인 것을 알 수 있다. 3) Function Generator 로 R-L 직렬 회로에 F=1kHz, Vp-p=10V 를 공급한다. 4) 1kHz - 10kHz 까지 주파수를 올려가며 R 양단에 걸리는 전압을 오실로스코프를 사용하여 측정한다. ※ 이때 전압은 10V 를 유지하며, 사진 파일은 1kHz, 2kHz, 5kHz, 10kHz 만 첨부한다. 5) 주파수에 ..

리액턴스 회로의 주파수 응답 TEST 실험 이론 1. RL 회로에서의 임피던스, 주파수, 전류 ▶ RL 회로에서의 임피던스 Z 는 유도성 리액턴스 XL 값에 의해 변화한다. Z를 구하는 공식은 아래와 같다. 공식을 보았을때 Z 는 XL 값과 저항값에 비례하게 변화한다는 것을 알 수 있다. ▶ 유도성 리액턴스 XL = 2 π f L 이다. 이를 보면 XL 은 주파수에 따라 값이 증감한다. 그러므로 Z 의 증감도 주파수의 증감에 따른다는 것을 알 수 있다.( F↑→ Z↑, F↓→ Z↓) ▶ 전류 I = V/Z 이다. I 는 Z에 반비례하며 Z는 RL 회로에서 주파수에 비례하므로 전류 I 는 주파수 F 에 역비례한다는 것을 알 수 있다. ∴ F ∝ Z , I ∝ 1/F 2. RC 회로에서의 임피던스, 주파수,..

X-CAP(Across-the-Line Capacitor) AC Power line에 EMI 억제를 목적으로 커패시터를 달게 되는데, 특히 차동모드 잡음을 필터링하기 위해 line-to-line으로 연결한다. NORMAL MODE NOISE 제거용. ▶Normal Mode Noise 란 노이즈원이 신호원에 대해 직렬로 들어가 신호 라인을 통해 부하에 전달되는 것. 저주파 Noise를 감쇠시킴. EMI용으로 Noise가 나가는 것을 막아줌. (없으면 EMI에서 CONDUCTED NOISE가 많이 발생.) 재질은 Metallized Polypropylene Film Cappacitor. 절연의 종류에 따라 X1급, X2급을 사용. 형태는 아래 사진과 비슷함. Y-CAP 공통모드 잡음을 필터링하기 위해 각 라..

정전압 회로란 부하에 흐르는 전류가 변화하더라도 부하 양단 전압을 일정하게 유지해주는 회로이다. 정전압을 구성하는 방법에는 제너 다이오드 또는 트렌지스터를 사용하거나, 정전압 Regulator I.C 를 사용하는 방법 등이 있다. 각 방식에 대해 간단히 알아본다. 1. Zener 다이오드를 활용한 정전압회로 (리니어 방식) Zener 다이오드의 항복전압 특성을 이용해 회로를 구성한다. 회로는 과 같이 구성된다. 위 회로에서의 Rs 저항은 Zener 다이오드가 동작하기 위한 전류와 필요한 부하 전류를 공급하는 역할을 담당한다. Zener 다이오드의 Zener전압 Vz 값이 출력 전압이 되는 점을 생각해 Rs 저항 값을 계산 한 후 사용한다. 2. 트렌지스터 + 제너다이오드를 활용한 정전압 회로 (Dropp..

반도체 재료 진성반도체 - 단결성 구조를 가진 순수한 반도체 - 규소[실리콘](Si) 및 저마늄[게르마늄](Ge) 의 원자핵의 가장 바깥궤도에 4개의 전자가 존재하는 Ⅳ원소 - 순수한 반도체에 에너지를 가하면 충만대 → 전도대 이동 ↳이동한 전자는 이전에 소속되있던 충만대에 빈자리를 남김 ↳이 빈자리는 원래 (-)전하가 있어야 할 자리인데 마치 (+)전하가 출현한 것과 같으며 정공이라고 한다. *정공은 이동이 비교적 자유로워 전도대의 전자와 함께 전하를 나르는 반송자의 역할을 담당 불순물 반도체 - 순수한 반도체에 의도적으로 특정한 불순물을 첨가하여 전자 또는 정공이 크게 증가하도록 한 것 - 다수 반송자가 전자이면 n형 반도체, 정공이면 p형 반도체이다. ☞ n형 반도체 : 안티몬, 비소, 인 등의 Ⅴ..

전자와 에너지 전자의 상수 ☞원자는 물질의 성질을 결정하는 최소단위 ↳원자 안에서 음(-)전하를 지닌 전자는 양(+) 전하를 지닌 양성자에게 전기적으로 속박되어 있다. ☞분자는 원자들이 모여서 구성 ↳분자들이 모여서 결정체나 물체구성 ☞전자는 입자이면서 동시에 파동인 양면적 성질을 가진 것으로 알려짐 ↳일정한 질량을 가진 입자의 성질과 함께 부피가 제한되지 않은 파동의 성질을 갖는 일종의 ‘에너지 뭉치’ 형태로 나타남 ☛ 전하량 : q = -1.6 x 10⁻¹⁹ C → (-)의 극성 ☛ 질량 : m₀ = 9.1 x 10⁻³¹ kg → (+)의 극성 전자에너지의 상태 속박전자 - 원자핵에 의한 전기적 구심력과 전자궤도의 공전에 의한 원심력이 평형을 이루며 원자 안에 속박된 상태 전도전자 - 원자의 안쪽궤도..

B급 Push-pull 증폭기 ▷ 전력 변환 효율을 높임과 동시에 큰 진폭의 신호를 처리하기 위해 사용. ▷ NPN 형 BJT 와 PNP 형 BJT 의 상보형 구조임. ★ NPN BJT 동작 : Emitter Follower ( Collector 공통) (순방향 – Push 동작) ▷ Av 는 거의 1이니까 진폭은 같고, 전압레벨은 Vbe 정도 차이가 난다. ★ PNP BJT 동작 : NPN 과 동일하지만 역방향 동작임 (Pull 동작) P.S : 실제 BJT 는 Vbe 0.7V 를 가짐으로 출력파형에 교차왜곡이 발생한다. ★ B급 Push-Pull 증폭기의 전력 효율 ★ B급 Push-Pull 증폭기의 최대 소비전력 Pd 와 평균전력 PL ★ B급 증폭기를 구성하는 트렌지스터의 정격은 부하에 공급되는 ..

MOSFET의 소신호 등가모델과 증폭기 ◆ MOSFET 증폭기는 BJT 증폭기와 비교했을 때, CE 증폭기 – CS 증폭기 / CC 증폭기 – CD 증폭기 / CB 증폭기 – CD 증폭기와 특성이 비슷하다고 볼 수 있다. 하이브리드 π 소신호 등가 모델의 특성 ▷ 저주파 등가모델 ☞ 주파수 특성이 포함되지 않고 MOSFET 내부 기생 정전 용량을 고려하지 않는다 ▷ 고주파 등가 모델 ☞ 주파수 특성이 포함되며, MOSFET 내부 기생 정전 용량을 고려한다. 전달 컨덕턴스 gm ▷ 증폭률을 결정하는 매우 중요한 값이다. ▷ 포화영역에서 동작하는 MOSFET 는 G-S 전압에 의해 제어되는 전압제어 전류원으로 동작한다. ▷ 수식은 하기와 같다. 소신호 드레인 저항 rd ▷ 채널 길이 변조 효과를 가진다. ▷..

증폭기 간단 정리 ★ BJT 차동 증폭기 ▷ 3단 증폭기의 예 : 입력단(차동증폭기) -> 이득단 -> 출력단 ▷ 차동 증폭기의 종류 : 소신호, 대신호, A급, B급, AB급, C급 ★ 소신호 증폭기 ▷ 동작점을 중심으로 진폭이 작게 변하는 신호를 증폭 ▷ 트렌지스터의 선형동작 영역 중앙 근처에 동작점을 설정 ★ 대신호 증폭기 ▷ 트렌지스터의 비선형 특성에 의해 증폭기 출력이 왜곡될 수 있으므로, 큰 동적범위에서 선형성이 유지될 수 있도록 소신호와는 다른 바이어스 방법이 필요. ★ A급 바이어스 증폭기 ▷ 입력 전류의 전체 주기가 왜곡없이 증폭되어 Ic로 나오므로 선형성이 잘 유지됨. ▷ 바이어스 전류 Icq가 항상 흐르므로 전력 효율이 낮음. ★ B 급 바이어스 증폭기 ▷ PUSH-PULL 증폭기 라..

Attenuator(감쇠기) - RF 에서 전력을 감쇠시키기 위해 사용되는 소자/회로로 저항과 같은 수동 소자를 이용하여 구성 - 용도 : 일반적으로 전력 레벨을 원하는 레벨로 낮춰 야 할 경우에 사용되거나, 발진을 잡거나, 반사 손실을 줄이는 용도 등으로 많이 사용한다. - 레벨 조정, 측정, 매칭 등 다양한 용도로 사용되며, 파형을 왜곡시키지 않고 신호의 세기를 줄이는 소자이다. - 3개의 저항 소자를 사용하는 T형, π 형의 감쇠기 회로 구조등으로 이루어진다. - 감쇠기는3dB회로가 일반적으로 사용된다. - 3dB감쇠기의 회로와 수식의 예는 아래와 같다. Coupler(커플러) - 용도 : 전력 추출, 전력 분배 등 사용하고자 하는 목적과 주파수 등에 따라 여러가지 형태의 Coupler를 사용할 수..